ASML研發第二代EUV極紫外光刻機 效能提升70% 2025年量產

半導體製造過程中最複雜也是最難的步驟就是光刻，成本能佔到整個生產過程的1/3，光刻機亦因此成為最重要的半導體製造設備，沒有之一。目前最先進的光刻機是荷蘭ASML艾司摩爾生產的EUV極紫外光刻機，每台售價超過一億美元，且供不應求。

今年，台積電、三星都會開始量產7nm EUV製程，現有的EUV光刻機亦差不多成熟了，雖然產量比起傳統的DUV深紫外光刻機還有所不如，不過已經能夠穩定量產了，7nm及明年的5nm節點上EUV光刻機都會是重點。

EUV光刻機未來還能怎麼發展？2016年，ASML宣布斥資20億美元收購德國蔡司25%的股份，並投資數億美元合作研發新一代透鏡，而ASML如此大手筆投資光學鏡頭公司就是為了研發新一代EUV光刻機。

據韓國媒體報導消息指稱，ASML正積極投資研發下一代EUV光刻機，與目前的光刻機相比，二代EUV光刻機最大的變化就是High-NA（高數值孔徑）透鏡，透過提升透鏡規格使得新一代光刻機的微縮解析度、微影疊對兩大光刻機核心指標提升70%，達到業界對幾何式晶片微縮的要求。

於此問題上，ASML去年10月即宣布與IMEC比利時微電子中心合作研發新一代EUV光刻機，目標是將NA從0.33提升至0.5以上，而從光刻機的解析度公式-光刻機解析度=k1xλ/NA中可以看出，NA數字越大，光刻機解析度越高，所以提高NA數值孔徑是下一代EUV光刻機的關鍵，畢竟現在EUV已經提升過一次了。

之前ASML公布新一代EUV光刻機的量產時間是2024年，不過最新報導稱下一代EUV光刻機將是2025年量產，此時間上台積電、三星都已經量產3nm製程了，甚至開始進軍2nm、1nm節點了。

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