台積電宣布增強版為7nm/5nm的:性提升7%
在日本的2019 VLSI Symposium超大規模集成電路研討會上,台積電宣布了兩種新工藝,分別是7nm,5nm的增強版,但都比較低調,沒有過多宣傳。
7nm工藝的增強版代號為“N7P”(P即代表性能Performance),在原有第一代N7 7nm工藝的基礎上,繼續使用DUV深紫外光刻技術而沒有7nm +上的EUV極紫外光刻,設計規則不變,晶體管密度也不變,只是優化了前線(FEOL),後線(BEOL),能在同等功耗下帶來7%的性能提升,或者在同等性能下降功耗降低10%。
5nm的工藝的增強版代號為“N,P”,也是優化前線和後線,可在同等功耗下帶來7%的性能提升,或者在同等性能下降功耗降低15%。
台積電N7P工藝已經可用,但尚未宣布任何具體客戶。
台積電此前曾表示,為7nm,為6nm都是長期工藝節點,會使用多年,為5nm則相當於一個升級過渡版本。
再往後,台積電的下一個重大工藝節點3nm的也已經取得重大進展,技術研發非常順利,已經有早期客戶參與進來,與台積電一起進行技術定義,預計2022年初步量產。
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