中國科學院院士表示，中國大陸在光刻技術與國外差距至少 15-20 年

在 2019 中國積體電路設計大會上，中國科學院微電子所的院士劉明，談到中國大陸國內積體電路光刻技術的一些技術與進展。

劉明院士在會上表示 : 我國在 EUV 光源、多層膜、掩膜、光刻膠、超光滑拋光技術等方面近期雖然取得了一些研究與進展，但是總體來說，國內的光刻技術與國外依然有著至少 15 到 20 年的差距。

中國科學院微電子所院士劉明 (圖片來源 : 百度百科)

目前荷蘭 ASML 公司的 EUV 光刻機已經可以製造 7nm 甚至更低的製程，而目前中國大陸所自研的光刻機，僅能夠做到 90nm 製程的等級，且多數僅能用在較低端的半導體產線上。

依照目前中國大陸最先進的半導體大廠中芯國際 (SMIC) 的技術能力，其 28nm 以下的製程，仍然皆需高度倚賴進口的設備與原料才能生產。