三星與蘋果合作開發LPW DRAM， 預計2028年量產

近日有傳言稱，英偉達再次來到三星的封裝工廠，種種跡象表明，英偉達對三星HBM3E的最終品質測試程序已正式開始。同時，三星也瞄準了下一代行動DRAM市場，以滿足對裝置上人工智慧（AI）日益增長的需求。

根據TrendForce通報，三星正與蘋果開發低功耗低功耗寬I/O（LPW）DRAM，預計2028年開始量產。除了蘋果外，三星在LPW DRAM專案上還有多個合作夥伴，也包括自己的行動體驗（MX）部門。傳聞LPW DRAM的I/O速度達到204.8 GB/s，而功耗僅1.87皮焦耳（pJ），比起LPDDR5X的效率高很多。

由於行動裝置逐漸在人工智慧方向上進行擴展，預計很快就會出現瓶頸，為此需要更高效能的行動DRAM。 LPW DRAM是與HBM類似的高頻寬記憶體，可以說是行動HBM。 LPW DRAM透過低功耗（LP）DDR顯著提高效能，不過與HBM不同的是，LPW DRAM不包含用於邏輯功能的基本晶片。此外，三星也領導了JEDEC固態儲存協會，嘗試對LPW DRAM進行標準化製定。

SK海力士也有類似的計劃，正在開發針對性的「Vertical Fan-Out（VFO）」技術，打造堆疊的LPDDR DRAM。雖然SK海力士和三星在堆疊方面採用的工藝方法較為相似，但是封裝上卻有差異，SK海力士是將銅柱連接起來，然後用環氧樹脂填充，而三星電子則相反。

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