三星首批12層HBM4E記憶體樣品搶先交貨

三星宣布，已開始向主要客戶交貨業界首批12層48GB HBM4E記憶體樣品。於完成初步樣品交貨與優化後，三星計劃根據客戶的具體進度安排，啟動HBM4E量產工作。

HBM（高頻寬記憶體）是AI加速晶片的核心組合元件，其頻寬與容量直接決定了AI訓練與推理的效率。目前，HBM市場由三星、SK海力士及美光三巨頭主導，其中SK海力士於HBM3及HBM3E階段曾佔據顯著領先優勢。

三星自2015年進入HBM領域，產品已經過十代更新。根據三星介紹，作為HBM4更新升級的產品，12層HBM4E採用了第六代10nm級DRAM製程（1c）以及三星晶圓代工的4nm邏輯晶片，於效能、容量、能效與散熱方面均有大幅提升，專為大型語言模型、生成式AI及高效能運算應用打造。

與HBM4相比，HBM4E可提供穩定的14Gbps針腳傳輸速度，效能可擴大至16Gbps，以滿足日益增長的資料處理需求，整體效能提升超過20%。每個堆疊的記憶體頻寬高達3.6TB/s，有助於最大限度提升大型語言模型及下一代AI系統的運算效能。

容量方面，HBM4E提供48GB，相較前一代產品增加了30%以上。三星亦計劃依據客戶需求擴充產品線，包括32GB（8層）與64GB（16層）配置。

此外，低功耗設計與封裝優化使能效提升了16%，熱阻改善超過14%，散熱效率顯著增強，有助於降低AI資料中心於高負載下的能耗。

目前，HBM市場呈現三星、SK海力士、美光三分天下的格局，各方你追我趕。

身為目前HBM市佔領導者，SK海力士HBM4於2025年9月量產，HBM4E計劃於2026年下半年送樣、2027年量產，將採用1c nm製程的DRAM裸片，基底晶片則由台積電以3nm製程生產。

美光方面，HBM4產能爬坡進展順利，計畫於2027年量產HBM4E，消息稱將採用10nm級第六代1γ製程，這是美光首次於量產製程導入EUV光刻設備，基底晶片同樣委由台積電製造。