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Samsung明年完成3nm GAA工藝開發性能大漲35%

儘管日本嚴格管制半導體材料多少都會影響Samsung的芯片,面板研發,生產,但是上週Samsung依然在日本舉行了“Samsung晶圓代工論壇”SFF會議,公佈了旗下新一代工藝的進展,其中3nm的工藝明年就完成開發了。

Samsung在10nm,7nm及5nm的節點的進度都會比台積電要晚一些,導致台積電幾乎包攬了目前的7nm的芯片訂單,Samsung只搶到IBM,NVIDIA及高通部分訂單。不過Samsung已經把目標放在了未來的3nm工藝上,預計2021年量產。

在3nm節點,Samsung將從的FinFET晶體管轉向GAA環繞柵極晶體管工藝,其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管,官方稱之為3GAE工藝。

根據官方所說,基於全新的GAA晶體管結構,Samsung通過使用納米片設備製造出了MBCFET(多橋通道FET,多橋 – 通道場效應管),該技術可以顯著增強晶體管性能,主要取代FinFET晶體管技術。

此外,MBCFET技術還能兼容現有的鰭式場效應晶體管製造工藝的技術及設備,從而加速工藝開發及生產。

在這次的日本SFF會議上,Samsung還公佈了3nm的工藝的具體指標,與現在的7nm的工藝相比,3nm的工藝可將核心面積減少45%,功耗降低50%,性能提升35%。

在工藝進度上,Samsung今年4月份已經在韓國華城的S3 Line工廠生產7nm芯片,今年內完成4nm工藝開發,2020年完成3nm工藝開發。
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