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三星發表業界首個12層3D-TSV晶片封裝工藝 説明滿足大容量HBM需求

台灣時間今天上午,三星電子宣佈他們成功研發了新的12層3D-TSV晶片封裝工藝,這是業界首個將3D TSV封裝推進到12層的工藝,而之前最大僅為8層。

目前比較多見的,運用到3D-TSV封裝技術的產品就是HBM顯存。TSV技術全稱矽穿孔(Through-silicon via),這種技術是在晶片內部通過打孔填充金屬導電材料的方式來實現多層晶片間的互聯,與傳統的PoP(Package on Package)方式相比,它具有更快的速度和更高的密度。因此,它對於採用3D堆疊的晶片意義非凡。

而三星在3D-TSV技術領域中一直是處於領先地位的,新的12層DRAM封裝技術需要在整個封裝中開超過60000個TSV孔,每個孔的厚度不超過一根頭髮的二十分之一。

採用新的12層3D-TSV封裝的晶片厚度仍然與現在的8層HBM2產品相同,為720μm。保持相同的厚度使得客戶無需對現有的設計進行修改即可用上新的12層封裝產品,這意味著直接可以使用更大容量的產品。

三星電子TSP(測試與系統封裝)部門的執行副總裁Hong-Joo Baek表示:

隨著例如人工智慧(AI)和高性能計算(HPC)等各種新時代應用的普及,確保超高性能記憶體所有複雜性的封裝技術正在變得越來越重要。而伴隨著摩爾定律達到極限,3D-TSV所扮演的角色將越來越關鍵。我們希望站在這一最新晶片封裝技術的最前沿。

而三星將憑藉著這項業界頂尖的封裝技術來滿足市場對於大容量HBM的需求—它正在快速增長。並藉此鞏固三星在高階半導體市場中的領先地位。

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