SK 海力士宣布推出全球首款 48GB 16-Hi HBM3E 記憶體 – 下一代 PCIe 6.0 SSD 和 UFS 5.0 儲存也在研發中
在 2024 年 SK AI 高峰會上，SK 海力士執行長登台展示了業界首款 16-Hi HBM3E 內存，擊敗了三星和美光。隨著HBM4的發展勢頭強勁，SK海力士準備了HBM3E產品的16層版本，以確保“技術穩定性”，併計劃最早於明年提供樣品。
幾週前，SK 海力士推出了HBM3E 內存的12-Hi 變體，獲得了 AMD (MI325X) 和 Nvidia (Blackwell Ultra) 的合約。 SK 海力士上季度利潤創歷史新高，再次全速前進，該巨頭剛剛宣布對其 HBM3E 系列進行 16 層升級，每堆疊容量達到 48GB（每個晶片 3GB）。密度的增加現在允許 AI 加速器在 8 堆疊配置中配備高達 384GB 的 HBM3E 記憶體。
SK hynix 聲稱訓練表現提高了 18%，推理表現提高了 32%。與 12-Hi 對應產品一樣，新型 16-Hi HBM3E 記憶體採用了 MR-MUF 等封裝技術，透過熔化晶片之間的焊料來連接晶片。 SK hynix預計 16-Hi HBM3E 樣品將於 2025 年初準備就緒。
這還不是全部，因為該公司正在積極開發 PCIe 6.0 SSD、針對 AI 伺服器的大容量 QLC（四級單元）eSSD 以及針對行動裝置的 UFS 5.0。此外，為了為未來的筆記型電腦甚至手持設備提供動力，SK hynix 正在開發 LPCAMM2 模組，並使用其 1cnm 節點焊接 LPDDR5/6 記憶體。沒有提及用於桌面的 CAMM2 模組，因此 PC 人員需要等待 – 至少要等到 CAMM2 的採用成熟為止。
為了克服 SK hynix 所謂的“內存牆”，該內存製造商正在開發近內存處理 (PNM)、內存處理 (PIM) 和計算存儲等解決方案。三星已經演示了其 PIM 版本 – 其中資料在記憶體中處理，因此資料不必移動到外部處理器。
HBM4 會將通道寬度從 1024 位元加倍至 2048 位元，同時支援最多 16 個垂直堆疊的 DRAM 晶片 (16-Hi) – 每個晶片可容納高達 4GB 的記憶體。這些是一代又一代的重大升級，應該足以滿足即將推出的 AI GPU 的高記憶體需求。
三星的HBM4流片將於今年稍後推進。另一方面，有報告指出 SK 海力士早在 10 月就已經實現了流片階段。按照傳統的晶片開發生命週期，預計 Nvidia 和 AMD 將在明年第一季/第二季收到合格樣品。
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