台積電在美國工廠舉行破土動工儀式 開建第三座晶圓廠

美國商務部發佈公告，商務部長Howard Lutnick參觀了台積電（TSMC）在亞利桑那州鳳凰城的Fab 21，並參加了第三座晶圓廠的破土動工儀式。新項目將擴大尖端晶片製造規模，推動美國在人工智慧（AI）、資料中心和智慧型手機方面的產業發展。

3月初，台積電宣佈在已投資650億美元的基礎上，有意增加1,000億美元投資於美國先進半導體製造。這項擴大投資計畫包括了三座新建晶圓廠、兩座先進封裝設施、以及一間主要的研發團隊中心，這將是美國史上最大規模的單一外國直接投資。

據了解，台積電在獲得許可的幾個小時後就開始了現場工作。 Fab 21的第一座晶圓廠採用的是4nm製程生產線，已於2024年末投產，第二座晶圓廠將提升至3nm工藝，計劃2027年至2028年量產，第三座和第四座晶圓廠將採用更先進的製程技術，預計是基於2nm製程節點的N2和A16工藝節點的N2和A16工藝。台積電預計，完工後其大概30%的2nm晶片將在美國製造。

台積電表示，透過這次擴大投資，預計未來四年將提供約4萬個建造工作崗位，並在先進晶片製造和研發等領域創造數以萬計高薪工作機會。預計未來十年裡，這項投資也將推動亞利桑那州和美國各地超過2,000億美元的間接經濟產出。

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