史上最大躍進 台積電首次披露2nm關鍵指標

台積電今日線上舉辦2021年度技術研討會，公布了未來新製程進展，6nm、5nm、4nm、3nm、2nm皆有新消息傳來。

2nm目前為各大半導體巨頭角逐的制高點，IBM甚至已經於實驗室內搞定，率先公布了2nm晶片，而除了台積電、三星兩大代工巨頭，歐洲、日本亦野心勃勃地規劃。

不同於之前世代在相同的基礎架構上不斷演進，台積電的2nm製程將是真正全新設計的，號稱史上最大的躍進，最大特點即是會首次導入奈米層片（nanosheet）電晶體，取代目前的FinFET結構。

台積電表示，奈米層片電晶體可以更好地控制閾值電壓（Vt），於半導體領域，Vt是電路運行所需的最低電壓，其任何輕微波動皆會顯著影響晶片的設計、效能，自然是越小越好。台積電宣稱，根據試驗，奈米層片電晶體可將Vt波動降低至少15%。

目前，台積電的2nm製程剛剛進入正式研發階段，之前消息是2023年試產，2024年量產。

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