東芝推出第二代650V碳化矽蕭特基位障二極體
東芝推出第二代650V碳化矽蕭特基位障二極體
湧浪順向電流提升70%，降低切換損失RON*Qc指數30%
東芝半導體與儲存產品公司今（1月24日）宣布推出第二代650V碳化矽(SiC)蕭特基位障二極體(SBDs)，該產品提升了公司現行產品的湧浪順向電流(IFSM)約70%。8個碳化矽蕭特基位障二極體的新產品線也即將出貨。
此款碳化矽蕭特基位障二極體採用東芝第二代碳化矽的製程製造，相較第一代產品提升了70%的湧浪順向電流，且同時降低切換損失的“RON*Qc”指數[1]約30%，使其適合用於高效率的功率因素修正方案。
新產品有4A, 6A, 8A, 和10A四種額定電流，用非絕緣的「TO-220-2L」或絕緣的「TO-220F-2L」包裝。這些產品有助於改善4K大銀幕液晶電視、投影機和多功能印表機的電源供應器效率，以及電信基地台和PC伺服器的工業設備。
碳化矽蕭特基位障二極體產品線及主要規格
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包裝
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特性
(Ta=25℃) |
絕對最大額定值
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電氣特性
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順向直流電流
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非重複性峰值湧浪順向電流
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功耗
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順向電壓
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陽極–陰極導通電阻
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接面電容
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總電容電荷
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符號
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IF(DC)
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IFSM
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Ptot
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VF
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Ron
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Cj
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QC
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|
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數值
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最大值
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最大值
|
最大值
|
典型值
＆最大值 |
典型值
|
典型值.
|
典型值
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單位
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(A)
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（A)
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(W)
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(V)
|
（ｍΩ）
|
（pF）
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（nC)
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測試條件/料號
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–
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@ Half-sine Wave
t=10 ms |
–
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@IF(DC)
|
@IF(DC)×
0.25 to 1.0 |
@VR=1 V
|
@VR=400 V
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|
|
非絕緣
TO-220-2L |
4
|
39
|
55.6
|
1.45
(Typ.) 1.60 (Max) |
120
|
165
|
10.4
|
|
|
6
|
55
|
68.2
|
82
|
230
|
15.1
|
|||
|
8
|
69
|
83.3
|
62
|
300
|
19.7
|
|||
|
10
|
83
|
107
|
48
|
400
|
24.4
|
|||
|
絕緣
TO-220F-2L |
4
|
37
|
33.6
|
1.45
(Typ.) 1.60 (Max) |
120
|
165
|
10.4
|
|
|
6
|
52
|
35.4
|
82
|
230
|
15.1
|
|||
|
8
|
65
|
37.5
|
62
|
300
|
19.7
|
|||
|
10
|
79
|
39.7
|
48
|
400
|
24.4
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註
[1] RON:陽極-陰極 導通電阻， Qc: 總電容電荷
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