SK海力士 或繼續使用 MR-MUF 工藝 16 層堆疊 HBM4， 暫不啟用 TC NCF 技術

去年，SK 海力士推出以 AI 為導向的超高性能 DRAM 新產品  12 層 HBM4，並在全球範圍內率先向主要客戶提供樣品。

SK 海力士沿用了在 HBM3E 開發中所積累的 Advanced MR-MUF 技術，成功使 12 層堆疊的 HBM4 達到 36GB 的最大容量；相比之下，競爭對手三星與美光則已轉向使用 TC-NCF 技術。

根據 TrendForce 的報告，SK 海力士在評估後決定，在 16 層堆疊的 HBM4 上將繼續採用 MR-MUF 製程，而非先前傳言的 TC-NCF 技術；據悉，SK 海力士曾在去年第四季對 TC-NCF 技術進行過全面量產評估，但最終效果並未達到預期。

兩者技術區別在於 MR-MUF  技術：是將半導體晶片附著於電路上，並使用液態環氧樹脂模塑膠（EMC）填充晶片間隙，讓製程上無需額外的清洗步驟，簡化了生產流程；而 TC-NCF 技術：則需在高溫高壓下將材料固化再熔化，並涉及 2 至 3 個步驟的清洗過程。

SK 海力士曾指出，MR-MUF 的導熱係數約為 TC-NCF 的兩倍，這對提升生產速度與產量有顯著影響；過去兩年，這一策略已證明在 HBM 市場中取得了巨大成功。

儘管 TC-NCF 在縮減堆疊高度方面具有優勢，但隨著 JEDEC 固態儲存協會放寬了 HBM4 的高度限制（從 720 微米放寬至 775 微米），SK 海力士現有的封裝技術已足以支撐 16 層堆疊，無需在現階段轉向更為複雜的混合鍵合（Hybrid Bonding）技術。

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