美光宣布開始使用1Z納米工藝，同時開始量產大容量移動內存顆粒

美光於8月15日宣布他們將開始使用1Z納米工藝進行DRAM顆粒的生產，同日他們還宣布大容量的LPDDR4X內存顆粒已經開始量產了，並且提供將NAND和DRAM兩種顆粒封裝到一起的芯片。

DRAM製造行業的制程更新要比做計算芯片的慢一些，鎂光的1Z納米工藝是他們在10納米節點的第三代工藝，在六月份美光第三季度的財報會議準備文件中，他們就已經將邁入1Z納米工藝作為下一個財年的重要事項寫進去了。而同時他們實際進入1Z納米工藝的時間也比內部時間表要早那麼一些。

對於DRAM來說，更新的工藝能夠做出單片容量更加大的內存顆粒來，也更加的省電。而首批採用1Z納米工藝的產品將是美光新的16Gb的容量的DDR4以及LPDDR4X內存顆粒，尤其是後者，對於目前移動端越來越大的內存大小和帶寬的需求，容量越大，速度越高並且更加省電的內存顆粒是移動廠商們的最愛，美光的大容量LPDDR4X顆粒還正好趕上了英特爾的IceLake處理器開始正式出貨，而新的處理器加上了對於頻率為3733MHz的LPDDR4X內存支持，在中高端輕薄筆記本市場上面，美光的新顆粒也有很大的市場了。

而對於大容量的DDR4顆粒來說，它們的用途多在製造大容量內存條上面，目前單條32GB的產品還沒成為桌面端的主流，但是對於工作站和服務器來說，這種單條大容量的內存條是剛需。

在提供8x16Gb也就是16GB大小，最高頻率可以達到4266MT /秒的內存的同時，美光還提供了一種基於UFS的多芯片封裝方式–uMCP4，它可以將NAND和DRAM整合在一個封裝中，目前有64GB + 3GB和256GB + 8GB兩種配置，這種封裝可以減少存儲芯片們所佔據的位置。
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