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SK海力士宣布採用1Znm製程工藝的16Gb DDR4顆粒 推動單面16GB內存普及

SK海力士於今天宣布推出使用1Znm製程工藝的16Gb DDR4內存顆粒,明年開始量產。SK海力士的1Znm製程已經是他們在10nm工藝納米中的第三代工藝技術了。
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大約起上一代1Ynm,SK海力士的1Znm製程可以提高27%的產量,並且還不需要EUV工藝的介入,在工藝的“性價比”上又提高了很多。而伴隨工藝促進同時提升的還有能效比,與1Ynm的8Gb顆粒比例,降低了約40%,而最高的傳輸速率可以提升到3200Mbps,SK海力士稱他們的1Znm顆粒擁有最高的密度,速率和能量效率。另外,他們在新工藝中還保留了新的物質改善顆粒的電氣性能,並保留了新的設計提高了內存的穩定性。

現在DDR4顆粒的三大生產廠中,美光已經在今年8月份的時候宣布他們的1Znm製程量產生了,而三星則是更早,在今年3月份就宣布了1Z製程的量產生,不過三星是宣布用於8Gb顆粒的生產,而現在美光和SK海力士都是將1Znm用於16Gb顆粒的生產。

而其中主要的內存顆粒生產廠切換到產能更高的工藝上,內存容量可能很快也要迎來一個加倍窗口,從當前主流的16GB加倍到32GB。現在市面上常見的單條16GB內存條因為使用的多為8Gb的顆粒,所以多為雙面設計,而在16Gb大容量顆粒量產之後,有望擴展單面16GB和雙面32GB的內存條。
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Martin

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