Samsung

三星開發第三代10nm製程DDR4記憶體:導入EUV技術,下半年量產

今日,三星電子宣佈開發出業界首款,基於第三代10nm製程的DRAM記憶體顆粒,將服務於高端應用市場,這距離三星量產1ynm 8Gb DDR4記憶體晶片,僅只有過去16個月的時間。

第三代10nm級工藝即1znm(在記憶體製造中,用x/y/z指代際,製程區間是10~20nm),整合了EUV極紫外線技術,單顆粒容量8Gb(1GB)。

三星表示,1znm是業界目前最頂尖的工藝,生產效率較1ynm提升了20%,可以更快的滿足日益增長的市場需求。

量產時間也敲定在今年下半,成品的DDR4-8GB模組正在驗證中,目標領域是下一代企業級伺服器與2020年高端PC產品。

此外三星還提到,將在平澤市(Pyeongtaek)提高DRAM顆粒的產能,同時上述先進技術還將應用于未來的DDR5、LPDDR5、GDDR6等產品上。

不過,就在昨天(3月20日),三星電子聯席CEO金基南(Kim Ki-nam)還指出,由於智慧型手機市場增長乏力,資料中心公司削減投資,公司的儲存晶片等零部件業務預計將面臨艱難一年。

三星开发出第3代10nm级DDR4内存芯片:导入EUV技术、下半年量产


消息來源

喜不喜歡這篇文章?留言給我們

Previous post

遊戲顯卡越來越貴?沒錯, NVIDIA 遊戲 GPU 營收 4 年漲兩倍

Next post

重返榮耀就靠它!聰明玩家這樣升級配備

The Author

Shi-min

Shi-min