三星開發第三代10nm製程DDR4記憶體:導入EUV技術，下半年量產

今日，三星電子宣佈開發出業界首款，基於第三代10nm製程的DRAM記憶體顆粒，將服務於高端應用市場，這距離三星量產1ynm 8Gb DDR4記憶體晶片，僅只有過去16個月的時間。

第三代10nm級工藝即1znm（在記憶體製造中，用x/y/z指代際，製程區間是10~20nm），整合了EUV極紫外線技術，單顆粒容量8Gb(1GB)。

三星表示，1znm是業界目前最頂尖的工藝，生產效率較1ynm提升了20%，可以更快的滿足日益增長的市場需求。

量產時間也敲定在今年下半，成品的DDR4-8GB模組正在驗證中，目標領域是下一代企業級伺服器與2020年高端PC產品。

此外三星還提到，將在平澤市（Pyeongtaek）提高DRAM顆粒的產能，同時上述先進技術還將應用于未來的DDR5、LPDDR5、GDDR6等產品上。

不過，就在昨天（3月20日），三星電子聯席CEO金基南(Kim Ki-nam)還指出，由於智慧型手機市場增長乏力，資料中心公司削減投資，公司的儲存晶片等零部件業務預計將面臨艱難一年。

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